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SQ4917EY-T1_GE3
- Modello di prodotti:
- SQ4917EY-T1_GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 30612 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SQ4917EY-T1_GE3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 1910pF @ 30V |
| Tensione - Ripartizione: | 8-SO |
| Vgs (th) (max) a Id: | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8A (Tc) |
| Potenza - Max: | 5W (Tc) |
| Polarizzazione: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SQ4917EY-T1_GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SQ4917EY-T1_GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 65nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | Standard |
| Descrizione: | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SQ4917EY-T1_GE3
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