SN65LVDT122DRG4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN65LVDT122DRG4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN65LVDT122DRG4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN65LVDT122DRG4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN65LVDT122DRG4
- Part Number:
- SN65LVDT122DRG4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC 2X2 CROSSPOINT SWITCH 16-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32112 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN65LVDT122DRG4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Źródło napięcia zasilania: | Single Supply |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | Crosspoint Switch |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOIC |
| Seria: | 65LVDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| niezależne obwody: | 1 |
| szczegółowy opis: | Crosspoint Switch 1 x 2:2 16-SOIC |
| High Output, Niska - Bieżąca: | - |
| Obwód: | 1 x 2:2 |
| Podstawowy numer części: | 65LVDT122 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN65LVDT122DRG4
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen