SN65LVDT101DR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN65LVDT101DR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN65LVDT101DR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN65LVDT101DR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN65LVDT101DR
- Part Number:
- SN65LVDT101DR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC REDRIVER 1CH 2GBPS 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33578 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN65LVDT101DR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | Buffer, ReDriver |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Kondycjonowanie sygnałów: | - |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Wydajność: | LVPECL |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | CML, LVDS, LVPECL |
| szczegółowy opis: | Buffer, ReDriver 1 Channel 2Gbps 8-SOIC |
| Czas zwłoki: | 630ps |
| Szybkość transmisji danych (maks.): | 2Gbps |
| Obecny - Dostawa: | 50mA |
| Pojemność - Wejście: | 0.6pF |
| Podstawowy numer części: | SN65LVDT101 |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN65LVDT101DR
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen