SI88241ED-ISR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SI88241ED-ISR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SI88241ED-ISR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SI88241ED-ISR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SI88241ED-ISR
- Part Number:
- SI88241ED-ISR
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55884 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SI88241ED-ISR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 4.8ns (Typ) |
| Napięcie - Podział: | 20-SOIC |
| Rodzaj: | General Purpose |
| Technologia: | Capacitive Coupling |
| Shell Style: | 3 V ~ 5.5 V |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | 12.6ns, 17.5ns (Typ) |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 40kV/µs |
| Polaryzacja: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 4 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | SI88241ED-ISR |
| Wejścia - Side 1 / Side 2: | No |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 2.5ns, 2.5ns |
| Częstotliwość - Odcięcie lub Centrum: | 100Mbps |
| Rozszerzony opis: | General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 100Mbps 40kV/µs CMTI 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Opis: | DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC |
| Obecny - Breakover: | 5000Vrms |
| Współczynnik przejściowy (min): | 3/1 |
| Kanały na obwód: | Unidirectional |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SI88241ED-ISR
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED