SI88241ED-ISR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SI88241ED-ISR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SI88241ED-ISR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SI88241ED-ISR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SI88241ED-ISR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SI88241ED-ISR
- ผู้ผลิต:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- ลักษณะ:
- DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55884 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SI88241ED-ISR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | 4.8ns (Typ) |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 20-SOIC |
| ชนิด: | General Purpose |
| เทคโนโลยี: | Capacitive Coupling |
| สไตล์เชลล์: | 3 V ~ 5.5 V |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| การบิดเบือนความกว้างของพัลส์ (สูงสุด): | 12.6ns, 17.5ns (Typ) |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด): | 40kV/µs |
| โพลาไรซ์: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนช่อง: | 4 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SI88241ED-ISR |
| ปัจจัยการผลิต - ด้าน 1 / ด้านข้าง 2: | No |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน): | 2.5ns, 2.5ns |
| ความถี่ - ลัดหรือศูนย์: | 100Mbps |
| ขยายคำอธิบาย: | General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 100Mbps 40kV/µs CMTI 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| ลักษณะ: | DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC |
| ปัจจุบัน - Breakover: | 5000Vrms |
| ภูมิคุ้มกันอ่อนแอโหมดทั่วไป (ต่ำสุด): | 3/1 |
| ช่องต่อวงจร: | Unidirectional |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SI88241ED-ISR
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น