SI5110-H-XL4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SI5110-H-XL4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SI5110-H-XL4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SI5110-H-XL4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SI5110-H-XL4
- Part Number:
- SI5110-H-XL4
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- IC TXRX SONET/SDH PBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27412 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SI5110-H-XL4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.71 V ~ 1.89 V |
| Rodzaj: | Transceiver |
| Seria: | SiPHY™ |
| Protokół: | SONET/SDH |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C |
| Liczba kierowców / odbiorników: | 1/1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dupleks: | Full |
| szczegółowy opis: | 1/1 Transceiver Full SONET/SDH |
| Szybkość przesyłania danych: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SI5110-H-XL4
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia