SI5110-H-BL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SI5110-H-BL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SI5110-H-BL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SI5110-H-BL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SI5110-H-BL
- Part Number:
- SI5110-H-BL
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- IC TXRX SONET/SDH LP HS 99BGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53856 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SI5110-H-BL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.71 V ~ 1.89 V |
| Rodzaj: | Transceiver |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 99-BGA (11x11) |
| Seria: | SiPHY™ |
| Protokół: | SONET/SDH |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 99-LBGA |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C |
| Liczba kierowców / odbiorników: | 1/1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dupleks: | Full |
| szczegółowy opis: | 1/1 Transceiver Full SONET/SDH 99-BGA (11x11) |
| Szybkość przesyłania danych: | - |
| Podstawowy numer części: | SI5110 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SI5110-H-BL
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego