RFM04U6P(TE12L,F) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RFM04U6P(TE12L,F), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RFM04U6P(TE12L,F) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RFM04U6P(TE12L,F) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RFM04U6P(TE12L,F)
- Part Number:
- RFM04U6P(TE12L,F)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- MOSFET N-CH PW-MINI
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30314 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RFM04U6P(TE12L,F).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 6V |
| Napięcie - znamionowe: | 16V |
| Typ tranzystora: | N-Channel |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PW-MINI |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 4.3W |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-243AA |
| Inne nazwy: | RFM04U6P(TE12LF)CT |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 13.3dB |
| Częstotliwość: | 470MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet N-Channel 6V 500mA 470MHz 13.3dB 4.3W PW-MINI |
| Aktualna ocena: | 2A |
| Obecny - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RFM04U6P(TE12L,F)
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego