RFM03U3CT(TE12L) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RFM03U3CT(TE12L), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RFM03U3CT(TE12L) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RFM03U3CT(TE12L) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RFM03U3CT(TE12L)
- Part Number:
- RFM03U3CT(TE12L)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- MOSFET N-CH RF-CST3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27911 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RFM03U3CT(TE12L).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 3.6V |
| Napięcie - znamionowe: | 16V |
| Typ tranzystora: | N-Channel |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | RF-CST3 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 3W |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 2-SMD, No Lead Exposed Pad |
| Inne nazwy: | RFM03U3CT(TE12L)CT |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 14.8dB |
| Częstotliwość: | 520MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet N-Channel 3.6V 500mA 520MHz 14.8dB 3W RF-CST3 |
| Aktualna ocena: | 3A |
| Obecny - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RFM03U3CT(TE12L)
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia