PMDXB600UNEZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PMDXB600UNEZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PMDXB600UNEZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PMDXB600UNEZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PMDXB600UNEZ
- Part Number:
- PMDXB600UNEZ
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37719 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PMDXB600UNEZ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 21.3pF @ 10V |
| Napięcie - Podział: | DFN1010B-6 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 600mA |
| Moc - Max: | 265mW |
| Polaryzacja: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 1727-2278-2 568-12564-2 568-12564-2-ND PMDXB600UNEZ-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | PMDXB600UNEZ |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 0.7nC @ 4.5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 950mV @ 250µA |
| Cecha FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | Logic Level Gate |
| Opis: | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PMDXB600UNEZ
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego