PMDPB95XNE,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PMDPB95XNE,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PMDPB95XNE,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PMDPB95XNE,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PMDPB95XNE,115
- Part Number:
- PMDPB95XNE,115
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22134 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PMDPB95XNE,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DFN2020-6 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 120 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Moc - Max: | 475mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 568-10764-2 934067055115 PMDPB95XNE,115-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 143pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.5nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 475mW Surface Mount DFN2020-6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 2.4A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PMDPB95XNE,115
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM