PMCXB900UE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PMCXB900UE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PMCXB900UE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PMCXB900UE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PMCXB900UE
- Part Number:
- PMCXB900UE
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50821 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PMCXB900UE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DFN1010B-6 |
| Seria: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Moc - Max: | 265mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 1727-1469-2 568-10940-2 568-10940-2-ND 934067143147 PMCXB900UEZ PMCXB900UEZ-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 21.3pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 0.7nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel Complementary |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA, 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 600mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PMCXB900UE
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash