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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > PMCXB900UE
PMCXB900UE
PMCXB900UE
Modèle de produit:
PMCXB900UE
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
50821 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PMCXB900UE.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Package composant fournisseur:DFN1010B-6
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Puissance - Max:265mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-XFDFN Exposed Pad
Autres noms:1727-1469-2
568-10940-2
568-10940-2-ND
934067143147
PMCXB900UEZ
PMCXB900UEZ-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:21.3pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
type de FET:N and P-Channel Complementary
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA, 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:600mA, 500mA
Email:[email protected]

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