NTST40H120ECTG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NTST40H120ECTG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NTST40H120ECTG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NTST40H120ECTG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NTST40H120ECTG
- Part Number:
- NTST40H120ECTG
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 120V 40A TO220
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26515 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NTST40H120ECTG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1 Pair Common Cathode |
| Napięcie - Podział: | TO-220 |
| Prędkość: | 20A |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polaryzacja: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | NTST40H120ECTGOS |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Numer części producenta: | NTST40H120ECTG |
| Rozszerzony opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 20A Through Hole TO-220-3 |
| Diode Configuration: | 3µA @ 90V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 120V 40A TO220 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 930mV @ 20A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 120V |
| Pojemność @ VR F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NTST40H120ECTG
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku