NSVMUN2233T1G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NSVMUN2233T1G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NSVMUN2233T1G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NSVMUN2233T1G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NSVMUN2233T1G
- Part Number:
- NSVMUN2233T1G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43513 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NSVMUN2233T1G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 100mA |
| Napięcie - Podział: | SC-59-3 |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 50V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm): | 4.7k |
| Opornik - Baza (R1) (Ohm): | - |
| Moc - Max: | 230mW |
| Polaryzacja: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 47k |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | NSVMUN2233T1G |
| Częstotliwość - Transition: | 80 @ 5mA, 10V |
| Rozszerzony opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3 |
| Opis: | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 500nA |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | NPN - Pre-Biased |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NSVMUN2233T1G
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia