NSVMUN2233T1G
NSVMUN2233T1G
Modèle de produit:
NSVMUN2233T1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
43513 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NSVMUN2233T1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):100mA
Tension - Ventilation:SC-59-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:50V
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):4.7k
Resistor - Base (R1) (Ohms):-
Puissance - Max:230mW
Polarisation:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Noise Figure (dB Typ @ f):47k
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:NSVMUN2233T1G
Fréquence - Transition:80 @ 5mA, 10V
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3
La description:TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:500nA
Courant - Collecteur Cutoff (Max):250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):NPN - Pre-Biased
Email:[email protected]

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