NOJP475M006RWJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NOJP475M006RWJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NOJP475M006RWJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NOJP475M006RWJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NOJP475M006RWJ
- Part Number:
- NOJP475M006RWJ
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CAP NIOB OXI 4.7UF 20% 6.3V 0805
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50802 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NOJP475M006RWJ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 6.3V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0805 (2012 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.081" L x 0.053" W (2.05mm x 1.35mm) |
| Seria: | OxiCap® NOJ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Producent Kod rozmiaru: | P |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.059" (1.50mm) |
| cechy: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 6.1 Ohms |
| Rozproszenie Factor: | 6% |
| szczegółowy opis: | 4.7µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 0805 (2012 Metric) 6.1 Ohms |
| Obecna - Przeciek: | 1µA |
| Pojemność: | 4.7µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NOJP475M006RWJ
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?