NOJP475M006RWJ tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk NOJP475M006RWJ, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk NOJP475M006RWJ melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli NOJP475M006RWJ dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
NOJP475M006RWJ
- Nomor bagian:
- NOJP475M006RWJ
- Pabrikan:
- AVX Corporation
- Deskripsi:
- CAP NIOB OXI 4.7UF 20% 6.3V 0805
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 50802 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- NOJP475M006RWJ.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Nilai: | 6.3V |
| Toleransi: | ±20% |
| Paket Perangkat pemasok: | 0805 (2012 Metric) |
| Ukuran / Dimensi: | 0.081" L x 0.053" W (2.05mm x 1.35mm) |
| Seri: | OxiCap® NOJ |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 105°C |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Produsen Ukuran Kode: | P |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tinggi - Duduk (Max): | 0.059" (1.50mm) |
| fitur: | - |
| ESR (Resistance Series Equivalent): | 6.1 Ohms |
| disipasi Factor: | 6% |
| Detil Deskripsi: | 4.7µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 0805 (2012 Metric) 6.1 Ohms |
| Saat ini - Kebocoran: | 1µA |
| kapasitansi: | 4.7µF |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk NOJP475M006RWJ
Latest Berita
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?