MURHB860CTT4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MURHB860CTT4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MURHB860CTT4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MURHB860CTT4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MURHB860CTT4
- Part Number:
- MURHB860CTT4
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 47338 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MURHB860CTT4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 2.8V @ 4A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D2PAK-3 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | MEGAHERTZ™ |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 35ns |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | MURHB860CTT4OSCT |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 1 Pair Common Cathode |
| szczegółowy opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 4A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 4A |
| Podstawowy numer części: | MURHB860CT |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MURHB860CTT4
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen