MURP20020CTG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MURP20020CTG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MURP20020CTG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MURP20020CTG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MURP20020CTG
- Part Number:
- MURP20020CTG
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE MODULE 300V 100A POWERTAP2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52810 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MURP20020CTG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 100A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 300V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerTap II |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | SWITCHMODE™ |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 50ns |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | Powertap II |
| Inne nazwy: | MURP20020CTGOS |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 1 Pair Common Cathode |
| szczegółowy opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 300V 100A Chassis Mount Powertap II |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 150µA @ 300V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100A |
| Podstawowy numer części: | MURP200*0CT |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MURP20020CTG
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC