MRF6S20010NR1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MRF6S20010NR1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MRF6S20010NR1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MRF6S20010NR1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MRF6S20010NR1
- Part Number:
- MRF6S20010NR1
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50071 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MRF6S20010NR1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 28V |
| Napięcie - znamionowe: | 68V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-270-2 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 10W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-270AA |
| Inne nazwy: | 935313769528 MRF6S20010NR1-ND MRF6S20010NR1TR |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 15.5dB |
| Częstotliwość: | 2.17GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 2.17GHz 15.5dB 10W TO-270-2 |
| Aktualna ocena: | - |
| Obecny - Test: | 130mA |
| Podstawowy numer części: | MRF6S20010 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MRF6S20010NR1
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS