MRF6S20010NR1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MRF6S20010NR1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MRF6S20010NR1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MRF6S20010NR1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MRF6S20010NR1
- رقم القطعة:
- MRF6S20010NR1
- وصف:
- FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50071 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MRF6S20010NR1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 68V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270AA |
| اسماء اخرى: | 935313769528 MRF6S20010NR1-ND MRF6S20010NR1TR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 15.5dB |
| تردد: | 2.17GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 2.17GHz 15.5dB 10W TO-270-2 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 130mA |
| رقم جزء القاعدة: | MRF6S20010 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF6S20010NR1
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS