MLD1N06CLT4G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MLD1N06CLT4G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MLD1N06CLT4G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MLD1N06CLT4G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MLD1N06CLT4G
- Part Number:
- MLD1N06CLT4G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35418 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MLD1N06CLT4G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 65V |
| Typ tranzystora: | NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DPAK |
| Seria: | SMARTDISCRETES™ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy: | MLD1N06CLT4GOS MLD1N06CLT4GOS-ND MLD1N06CLT4GOSTR |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Transistor General Purpose NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp 65V 1A Surface Mount DPAK |
| Aktualna ocena: | 1A |
| Podstawowy numer części: | MLD1N06C |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MLD1N06CLT4G
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS