NUS5530MNR2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NUS5530MNR2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NUS5530MNR2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NUS5530MNR2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NUS5530MNR2G
- Part Number:
- NUS5530MNR2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38487 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NUS5530MNR2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 35V PNP, 20V P-Channel |
| Typ tranzystora: | NPN, P-Channel |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | NUS5530MNR2G-ND NUS5530MNR2GOSTR |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Transistor General Purpose NPN, P-Channel 35V PNP, 20V P-Channel 2A PNP, 3.9A P-Channel Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
| Aktualna ocena: | 2A PNP, 3.9A P-Channel |
| Podstawowy numer części: | NUS5530MN |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NUS5530MNR2G
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS