MIC4605-2YM-T5 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MIC4605-2YM-T5, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MIC4605-2YM-T5 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MIC4605-2YM-T5 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MIC4605-2YM-T5
- Part Number:
- MIC4605-2YM-T5
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MOSFET DVR 85V HALF BRDG
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59766 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MIC4605-2YM-T5.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 8-SOIC |
| Shell Style: | 5.5 V ~ 16 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| Czas narastania / spadku (typ): | 1A, 1A |
| Polaryzacja: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 1611-MIC4605-2YM-T5DKR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | Half-Bridge |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | MIC4605-2YM-T5 |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | N-Channel MOSFET |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 20ns, 20ns |
| Typ bramy: | 2 |
| Rozszerzony opis: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Opis: | IC MOSFET DVR 85V HALF BRDG |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 0.8V, 2.2V |
| Obecny - Wyjście (Max): | 108V |
| Kanały na obwód: | Independent |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MIC4605-2YM-T5
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia