MIC4605-2YM-T5 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MIC4605-2YM-T5 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MIC4605-2YM-T5 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MIC4605-2YM-T5 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MIC4605-2YM-T5
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MIC4605-2YM-T5
- ผู้ผลิต:
- Micrel / Microchip Technology
- ลักษณะ:
- IC MOSFET DVR 85V HALF BRDG
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59766 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MIC4605-2YM-T5.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 8-SOIC |
| สไตล์เชลล์: | 5.5 V ~ 16 V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Digi-Reel® |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 1A, 1A |
| โพลาไรซ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | 1611-MIC4605-2YM-T5DKR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| ความถี่ขาเข้า: | Half-Bridge |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MIC4605-2YM-T5 |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH: | N-Channel MOSFET |
| ประเภทขาเข้า: | Non-Inverting |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน): | 20ns, 20ns |
| ประเภทประตู: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| ลักษณะ: | IC MOSFET DVR 85V HALF BRDG |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink): | 0.8V, 2.2V |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | 108V |
| ช่องต่อวงจร: | Independent |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MIC4605-2YM-T5
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด