M83446/39-01F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M83446/39-01F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M83446/39-01F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M83446/39-01F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M83446/39-01F
- Part Number:
- M83446/39-01F
- Producent:
- API Delevan
- Opis:
- FIXED IND 10NH 1.23A 100 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 55266 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- M83446/39-01F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1812 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | Military, MIL-PRF-39010, M83446/39 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 40 @ 50MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1812 (4532 Metric) |
| Inne nazwy: | 1134-1115 1134-1115-2 1134-1115-2-MIL 1134-1115-MIL M83446/39-01F TR 500 MIL1812-100M MIL1812-100M-500 TR MIL1812100M |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Phenolic |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 31 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 50MHz |
| Indukcyjność: | 10nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.134" (3.40mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 1GHz |
| szczegółowy opis: | 10nH Unshielded Inductor 1.23A 100 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 100 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 1.23A |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M83446/39-01F
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia