M8340109K1001GCD03 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M8340109K1001GCD03, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M8340109K1001GCD03 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M8340109K1001GCD03 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M8340109K1001GCD03
- Part Number:
- M8340109K1001GCD03
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES ARRAY 9 RES 1K OHM 10SIP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 58064 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- M8340109K1001GCD03.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±2% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-SIP |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.983" L x 0.098" W (24.97mm x 2.49mm) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-83401/09, RZ090 |
| Resistor-Ratio-Drift: | - |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 1k |
| Moc na element: | 120mW |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 10-SIP |
| Inne nazwy: | 1135-1085-5 1135-1085-5-MIL |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 9 |
| Ilość Pins: | 10 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.195" (4.95mm) |
| szczegółowy opis: | 1k Ohm ±2% 120mW Power Per Element Bussed 9 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 10-SIP |
| Rodzaj obwodu: | Bussed |
| Aplikacje: | Military |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M8340109K1001GCD03
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia