KUMP-11A58-120 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla KUMP-11A58-120, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla KUMP-11A58-120 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup KUMP-11A58-120 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
KUMP-11A58-120
- Part Number:
- KUMP-11A58-120
- Producent:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 15A 120V
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 26129 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- KUMP-11A58-120.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 102 VAC |
| Wyłącz napięcie (Min): | - |
| Termination Style: | Quick Connect - 0.187" (4.7mm) |
| przełączanie napięcia: | 277VAC - Max |
| Seria: | KUMP |
| Czas Release: | 10ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | 6-1393116-7 KUMP-11A58-120-ND |
| temperatura robocza: | -45°C ~ 55°C |
| Czas zadziałania: | 15ms |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 28 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| cechy: | Insulation - Class B |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 120VAC Coil Chassis Mount |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 15A |
| Materiał styków: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Formularz kontaktowy: | DPDT (2 Form C) |
| Napięcie cewki: | 120VAC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 1.7 kOhms |
| cewka zasilania: | 2.9 VA |
| Aktualny Coil: | 24.0mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do KUMP-11A58-120
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia