KUMP-14A18-12 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla KUMP-14A18-12, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla KUMP-14A18-12 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup KUMP-14A18-12 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
KUMP-14A18-12
- Part Number:
- KUMP-14A18-12
- Producent:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE 3PDT 15A 12V
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59946 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- KUMP-14A18-12.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 10.2 VAC |
| Wyłącz napięcie (Min): | - |
| Termination Style: | Plug In, Quick Connect - 0.187" (4.7mm) |
| przełączanie napięcia: | 277VAC - Max |
| Seria: | KUMP |
| Czas Release: | 10ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | 8-1393116-3 KUMP-14A18-12-ND |
| temperatura robocza: | -45°C ~ 45°C |
| Czas zadziałania: | 15ms |
| Rodzaj mocowania: | Socketable |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| cechy: | Insulation - Class B |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 12VAC Coil Socketable |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 15A |
| Materiał styków: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Formularz kontaktowy: | 3PDT (3 Form C) |
| Napięcie cewki: | 12VAC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 18 Ohms |
| cewka zasilania: | 2.8 VA |
| Aktualny Coil: | 230mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do KUMP-14A18-12
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia