JDP4P02AT(TE85L) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JDP4P02AT(TE85L), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JDP4P02AT(TE85L) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JDP4P02AT(TE85L) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JDP4P02AT(TE85L)
- Part Number:
- JDP4P02AT(TE85L)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46974 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JDP4P02AT(TE85L).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | CST4 (1.2x0.8) |
| Seria: | - |
| Odporność @ Jeżeli F: | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 4-SMD, Flat Leads |
| Inne nazwy: | JDP4P02AT(TE85L)TR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | PIN - 2 Independent |
| szczegółowy opis: | RF Diode PIN - 2 Independent 30V 50mA CST4 (1.2x0.8) |
| Obecny - Max: | 50mA |
| Pojemność @ VR F: | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JDP4P02AT(TE85L)
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM