BA892H6770XTSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BA892H6770XTSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BA892H6770XTSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BA892H6770XTSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BA892H6770XTSA1
- Part Number:
- BA892H6770XTSA1
- Opis:
- DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40433 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BA892H6770XTSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 35V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SCD-80 |
| Seria: | - |
| Odporność @ Jeżeli F: | 500 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-80 |
| Inne nazwy: | BA 892 H6770 BA 892 H6770-ND BA892H6770XTSA1TR SP000745044 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard - Single |
| szczegółowy opis: | RF Diode Standard - Single 35V 100mA SCD-80 |
| Obecny - Max: | 100mA |
| Pojemność @ VR F: | 1.1pF @ 3V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | BA892 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BA892H6770XTSA1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen