BA8522RFVM-TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BA8522RFVM-TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BA8522RFVM-TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BA8522RFVM-TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BA8522RFVM-TR
- Part Number:
- BA8522RFVM-TR
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- IC OPAMP GP 6MHZ 8MSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56816 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BA8522RFVM-TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 4 V ~ 32 V, ±2 V ~ 16 V |
| Napięcie - Wejście offset: | 100µV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-MSOP |
| Szybkość narastania: | 3 V/µs |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) |
| Typ wyjścia: | - |
| Inne nazwy: | BA8522RFVM-CT BA8522RFVM-CT-ND BA8522RFVMCT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 7 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zysk Bandwidth Product: | 6MHz |
| szczegółowy opis: | General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-MSOP |
| Obecny - Dostawa: | 5.5mA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 50mA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 50nA |
| Podstawowy numer części: | BA8522R |
| Amplifier Type: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BA8522RFVM-TR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny