BA8522RFVM-TR è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BA8522RFVM-TR, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BA8522RFVM-TR via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BA8522RFVM-TR con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BA8522RFVM-TR
- Modello di prodotti:
- BA8522RFVM-TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- IC OPAMP GP 6MHZ 8MSOP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 56816 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BA8522RFVM-TR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Alimentazione di tensione, singolo / doppio (±): | 4 V ~ 32 V, ±2 V ~ 16 V |
| Tensione - Offset ingresso: | 100µV |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-MSOP |
| Slew rate: | 3 V/µs |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) |
| Tipo di uscita: | - |
| Altri nomi: | BA8522RFVM-CT BA8522RFVM-CT-ND BA8522RFVMCT |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 105°C |
| Numero di circuiti: | 2 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 7 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno Prodotto larghezza di banda: | 6MHz |
| Descrizione dettagliata: | General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-MSOP |
| Corrente - Alimentazione: | 5.5mA |
| Corrente - Uscita / Canale: | 50mA |
| Corrente - Polarizzazione ingresso: | 50nA |
| Numero di parte base: | BA8522R |
| Tipo Amplificatore: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BA8522RFVM-TR
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash