GN2012AINE3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GN2012AINE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GN2012AINE3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GN2012AINE3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GN2012AINE3
- Part Number:
- GN2012AINE3
- Producent:
- Semtech
- Opis:
- DUAL 10G CDR
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52102 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GN2012AINE3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.805 V ~ 3.465 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-QFN |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | - |
| PLL: | - |
| Wydajność: | - |
| temperatura robocza: | - |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Główny cel: | Ethernet, Fibre Channel, SONET/SDH |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | - |
| Częstotliwość - Max: | 11.7Gbps |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | - |
| Podstawowy numer części: | GN2012 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GN2012AINE3
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS