GN2012AINE3 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para GN2012AINE3, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para GN2012AINE3 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre GN2012AINE3 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
GN2012AINE3
- Modelo do Produto:
- GN2012AINE3
- Fabricante:
- Semtech
- Descrição:
- DUAL 10G CDR
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 52102 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- GN2012AINE3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Fornecimento: | 2.805 V ~ 3.465 V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 32-QFN |
| Série: | - |
| Rácio - Entrada: Saída: | - |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | - |
| PLL: | - |
| Saída: | - |
| Temperatura de operação: | - |
| Número de circuitos: | 2 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Propósito principal: | Ethernet, Fibre Channel, SONET/SDH |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Entrada: | - |
| Frequência - Max: | 11.7Gbps |
| Diferencial - Entrada: Saída: | - |
| Número da peça base: | GN2012 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para GN2012AINE3
Latest Notícias
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve
- O microchip permite a capacidade de produção do TSMC e aumenta os aumentos de preços
- Ruisa lançou a nova série RA0 Ultra -Low Power Entry -Lvel MCU
- Melexis lança um chip de comutação indutor integrado completo
- O X-FAB apresenta a tecnologia de iluminação do sensor de imagem para aprimorar o desempenho do sensor CMOS