GLFR2012T101M-LR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GLFR2012T101M-LR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GLFR2012T101M-LR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GLFR2012T101M-LR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GLFR2012T101M-LR
- Part Number:
- GLFR2012T101M-LR
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- FIXED IND 100UH 160MA 3 OHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52380 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GLFR2012T101M-LR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0805 (2012 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | GLFR |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | 445-3617-1 GLFR2012T101MLR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność: | 100µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.053" (1.35mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 100µH Shielded Wirewound Inductor 160mA 3 Ohm 0805 (2012 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 3 Ohm |
| Aktualna ocena: | 160mA |
| Obecny - Nasycenie: | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GLFR2012T101M-LR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny