GLFR1608T3R3M-LR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GLFR1608T3R3M-LR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GLFR1608T3R3M-LR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GLFR1608T3R3M-LR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GLFR1608T3R3M-LR
- Part Number:
- GLFR1608T3R3M-LR
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- FIXED IND 3.3UH 525MA 230 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26546 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GLFR1608T3R3M-LR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0603 (1608 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | GLFR |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0603 (1608 Metric) |
| Inne nazwy: | 445-6154-2 GLFR1608T3R3MLR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność: | 3.3µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 525mA 230 mOhm 0603 (1608 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 230 mOhm |
| Aktualna ocena: | 525mA |
| Obecny - Nasycenie: | 120mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GLFR1608T3R3M-LR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash