GLFR2012T101M-LR está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para GLFR2012T101M-LR, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para GLFR2012T101M-LR por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre GLFR2012T101M-LR com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
GLFR2012T101M-LR
- Modelo do Produto:
- GLFR2012T101M-LR
- Fabricante:
- TDK Corporation
- Descrição:
- FIXED IND 100UH 160MA 3 OHM SMD
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 52380 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- GLFR2012T101M-LR.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Digitar: | Wirewound |
| Tolerância: | ±20% |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 0805 (2012 Metric) |
| Tamanho / Dimensão: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| blindagem: | Shielded |
| Série: | GLFR |
| classificações: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 0805 (2012 Metric) |
| Outros nomes: | 445-3617-1 GLFR2012T101MLR |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 105°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Core: | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indutância: | 100µH |
| Altura - Sentado (Max): | 0.053" (1.35mm) |
| Frequência - auto-ressonante: | - |
| Descrição detalhada: | 100µH Shielded Wirewound Inductor 160mA 3 Ohm 0805 (2012 Metric) |
| Resistência DC (DCR): | 3 Ohm |
| Potência nominal: | 160mA |
| Atual - Saturação: | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para GLFR2012T101M-LR
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica