GDP50P120B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GDP50P120B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GDP50P120B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GDP50P120B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GDP50P120B
- Part Number:
- GDP50P120B
- Producent:
- Global Power Technologies Group
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57983 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GDP50P120B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 50A (DC) |
| Napięcie - Podział: | TO-247-2 |
| Seria: | Amp+™ |
| Stan RoHS: | Tube |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 2984pF @ 1V, 1MHz |
| Polaryzacja: | TO-247-2 |
| Inne nazwy: | 1560-1028-5 |
| Temperatura pracy - złącze: | 0ns |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | GDP50P120B |
| Rozszerzony opis: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A (DC) Through Hole TO-247-2 |
| Diode Configuration: | 100µA @ 1200V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.7V @ 50A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 135°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GDP50P120B
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen