GDP48Y060B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GDP48Y060B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GDP48Y060B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GDP48Y060B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GDP48Y060B
- Part Number:
- GDP48Y060B
- Producent:
- Global Power Technologies Group
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21660 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GDP48Y060B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.7V @ 24A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-247-3 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | Amp+™ |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | 1560-1027-5 |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 135°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Silicon Carbide Schottky |
| Diode Configuration: | 1 Pair Common Anode |
| szczegółowy opis: | Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 600V 24A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 24A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GDP48Y060B
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?