FSA1156L6X jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FSA1156L6X, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FSA1156L6X przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FSA1156L6X z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FSA1156L6X
- Part Number:
- FSA1156L6X
- Producent:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Opis:
- IC SWITCH SPST 6MICROPAK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55851 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FSA1156L6X.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 300MHz |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 900 mOhm |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Podział: | 6-MicroPak |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | - |
| Przełącznik: | 1:1 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 6-UFDFN |
| Inne nazwy: | FSA1156L6X_NL FSA1156L6X_NLTR FSA1156L6X_NLTR-ND FSA1156L6XTR |
| Orientacja: | 1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | SPST - NO |
| Ilość ADC / DAC: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | FSA1156L6X |
| Rozszerzony opis: | 1 Circuit IC Switch 1:1 900 mOhm 6-MicroPak |
| Opis: | IC SWITCH SPST 6MICROPAK |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | 20pF |
| Przesłuchy: | 2nA |
| Wtrysk ładowania: | 20ns, 30ns |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | - |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | 20pC |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FSA1156L6X
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia