Το FSA1156L6X είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FSA1156L6X, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FSA1156L6X μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FSA1156L6X με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FSA1156L6X
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FSA1156L6X
- Κατασκευαστής:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- IC SWITCH SPST 6MICROPAK
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 55851 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FSA1156L6X.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Τροφοδοσία, Single / Dual (±): | 300MHz |
| Τάση - Προμήθεια, Ενιαία (V +): | 900 mOhm |
| Τάση - Τροφοδοσία, Διπλή (V ±): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Τάσης - Ανάλυση: | 6-MicroPak |
| Χρόνος διακοπής (Ton, Toff) (Max): | - |
| Κύκλωμα διακοπτών: | 1:1 |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Πόλωση: | 6-UFDFN |
| Άλλα ονόματα: | FSA1156L6X_NL FSA1156L6X_NLTR FSA1156L6X_NLTR-ND FSA1156L6XTR |
| Προσανατολισμός: | 1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Αντίσταση κατάστασης (Max): | SPST - NO |
| Αριθμός ΚΔΚ / DACs: | - |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | FSA1156L6X |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 1 Circuit IC Switch 1:1 900 mOhm 6-MicroPak |
| Περιγραφή: | IC SWITCH SPST 6MICROPAK |
| Τρέχουσα - Διαρροή (IS (off)) (Max): | 20pF |
| Στιχομυθία: | 2nA |
| Φόρτιση με ένεση: | 20ns, 30ns |
| Αντιστοίχιση καναλιού σε κανάλι (ΔRon): | - |
| Χωρητικότητα καναλιού (CS (εκτός), CD (εκτός λειτουργίας): | 20pC |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FSA1156L6X
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο