FGH20N60SFDTU-F085 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FGH20N60SFDTU-F085, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FGH20N60SFDTU-F085 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FGH20N60SFDTU-F085 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FGH20N60SFDTU-F085
- Part Number:
- FGH20N60SFDTU-F085
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IGBT 600V 20A 165W TO247
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37674 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FGH20N60SFDTU-F085.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.8V @ 15V, 20A |
| Stan testu: | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 13ns/90ns |
| Przełączanie Energy: | 430µJ (on), 130µJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-247 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 40ns |
| Moc - Max: | 165W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | FGH20N60SFDTU_F085 FGH20N60SFDTU_F085-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | Field Stop |
| brama Charge: | 66nC |
| szczegółowy opis: | IGBT Field Stop 600V 40A 165W Through Hole TO-247 |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 60A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 40A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FGH20N60SFDTU-F085
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił