Το FGH20N60SFDTU-F085 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FGH20N60SFDTU-F085, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FGH20N60SFDTU-F085 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FGH20N60SFDTU-F085 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FGH20N60SFDTU-F085
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FGH20N60SFDTU-F085
- Κατασκευαστής:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- IGBT 600V 20A 165W TO247
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 37674 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FGH20N60SFDTU-F085.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.8V @ 15V, 20A |
| Test Condition: | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Td (on / off) στους 25 ° C: | 13ns/90ns |
| εναλλαγή Ενέργειας: | 430µJ (on), 130µJ (off) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-247 |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 40ns |
| Ισχύς - Max: | 165W |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-3 |
| Αλλα ονόματα: | FGH20N60SFDTU_F085 FGH20N60SFDTU_F085-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Standard |
| IGBT Τύπος: | Field Stop |
| πύλη Χρέωση: | 66nC |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT Field Stop 600V 40A 165W Through Hole TO-247 |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM): | 60A |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 40A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FGH20N60SFDTU-F085
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο