ETQ-P4M220YFN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ETQ-P4M220YFN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ETQ-P4M220YFN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ETQ-P4M220YFN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ETQ-P4M220YFN
- Part Number:
- ETQ-P4M220YFN
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- POWER CHOKE COIL PCC MC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34581 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.ETQ-P4M220YFN.pdf2.ETQ-P4M220YFN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.256" L x 0.236" W (6.50mm x 6.00mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | PCC-M0645M |
| oceny: | AEC-Q200 |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2-SMD, J-Lead |
| Inne nazwy: | ETQP4M220YFN P122548TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Metal Composite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 75 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 22µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.177" (4.50mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 22µH Shielded Inductor 2.9A 138.8 mOhm Max 2-SMD, J-Lead |
| DC Resistance (DCR): | 138.8 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 2.9A |
| Obecny - Nasycenie: | 6A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ETQ-P4M220YFN
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash