ETQ-P4M2R2KVK jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ETQ-P4M2R2KVK, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ETQ-P4M2R2KVK przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ETQ-P4M2R2KVK z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ETQ-P4M2R2KVK
- Part Number:
- ETQ-P4M2R2KVK
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- FIXED IND 2.2UH 11.4A 9.35 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32006 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.ETQ-P4M2R2KVK.pdf2.ETQ-P4M2R2KVK.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±20% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.335" L x 0.315" W (8.50mm x 8.00mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | PCC-M0840M |
| oceny: | AEC-Q200 |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2-SMD, J-Lead |
| Inne nazwy: | ETQP4M2R2KVK P19778TR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Metal Composite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 75 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 2.2µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.157" (4.00mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 2.2µH Shielded Inductor 11.4A 9.35 mOhm Max 2-SMD, J-Lead |
| DC Resistance (DCR): | 9.35 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 11.4A |
| Obecny - Nasycenie: | 20.4A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ETQ-P4M2R2KVK
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe