EPXA4F672C1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EPXA4F672C1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EPXA4F672C1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EPXA4F672C1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EPXA4F672C1
- Part Number:
- EPXA4F672C1
- Opis:
- IC EXCALIBUR ARM 672FBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54415 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.EPXA4F672C1.pdf2.EPXA4F672C1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.8V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 672-FBGA (27x27) |
| Prędkość: | 266MHz |
| Seria: | Excalibur™ |
| Program SRAM Bajty: | 128K |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 672-BBGA, FCBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | EBI/EMI, UART/USART |
| FPGA SRAM: | - |
| FPGA Gates: | 400K |
| Komórki podstawowe FPGA: | 16640 |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| Bajty danych SRAM: | 64K |
| rdzeń: | 32-Bit ARM9 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EPXA4F672C1
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku