DFEH12060D-5R6M=P3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DFEH12060D-5R6M=P3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DFEH12060D-5R6M=P3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DFEH12060D-5R6M=P3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DFEH12060D-5R6M=P3
- Part Number:
- DFEH12060D-5R6M=P3
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 5.6UH 10A 11 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30517 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DFEH12060D-5R6M=P3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.512" L x 0.496" W (13.00mm x 12.60mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | DFEH12060D |
| oceny: | AEC-Q200 |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 490-13108-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 155°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Iron Powder |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100MHz |
| Indukcyjność: | 5.6µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.236" (6.00mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 5.6µH Shielded Inductor 10A 11 mOhm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 11 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 10A |
| Obecny - Nasycenie: | 13A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DFEH12060D-5R6M=P3
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia