DFEH12060D-5R6M=P3 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour DFEH12060D-5R6M=P3, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour DFEH12060D-5R6M=P3 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez DFEH12060D-5R6M=P3 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
DFEH12060D-5R6M=P3
- Modèle de produit:
- DFEH12060D-5R6M=P3
- Fabricant:
- Murata Electronics
- La description:
- FIXED IND 5.6UH 10A 11 MOHM
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 30517 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- DFEH12060D-5R6M=P3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Type: | - |
| Tolérance: | ±20% |
| Package composant fournisseur: | - |
| Taille / Dimension: | 0.512" L x 0.496" W (13.00mm x 12.60mm) |
| Blindage: | Shielded |
| Séries: | DFEH12060D |
| évaluations: | AEC-Q200 |
| Q @ Freq: | - |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | Nonstandard |
| Autres noms: | 490-13108-1 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 155°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Matériau - Noyau: | Iron Powder |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 13 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence d'inductance - Test: | 100MHz |
| Inductance: | 5.6µH |
| Hauteur - Installé (max): | 0.236" (6.00mm) |
| Fréquence - Auto résonance: | - |
| Description détaillée: | 5.6µH Shielded Inductor 10A 11 mOhm Max Nonstandard |
| Résistance cc (DCR): | 11 mOhm Max |
| Note actuelle: | 10A |
| Courant - Saturation: | 13A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes DFEH12060D-5R6M=P3
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement